Сервис доставки товаров из Китая для физических и юридических лиц

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Boost PFC Telecom Power MOSFET OSG65R099HSZAF TO-247 650V 99mΩ Fast Recovery Diode
Boost PFC Telecom Power MOSFET OSG65R099HSZAF TO-247 650V 99mΩ Fast Recovery Diode
24 ₽
Vienna PFC Topology SFS04R013UGF PDFN5 x 6 Low Driving Voltage 40V Fast Switching Soft Recovery Low RDS(ON) 1.1mΩ MOSFET
Vienna PFC Topology SFS04R013UGF PDFN5 x 6 Low Driving Voltage 40V Fast Switching Soft Recovery Low RDS(ON) 1.1mΩ MOSFET
24 ₽
Мощный MOSFET OSG65R099HSZAF TO247 для автоинверторов
Мощный MOSFET OSG65R099HSZAF TO247 для автоинверторов
24 ₽
Мощный MOSFET OSG65R038HZAF TO247, 650В, 38мОм
Мощный MOSFET OSG65R038HZAF TO247, 650В, 38мОм
24 ₽
Мощный MOSFET-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650В
Мощный MOSFET-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650В
24 ₽
MOSFET-транзистор OSG65R099HSZAF TO247, 650V, 99мОм
MOSFET-транзистор OSG65R099HSZAF TO247, 650V, 99мОм
24 ₽
MOSFET-транзистор OSG65R099HSZAF TO247 для автомобильного инвертора
MOSFET-транзистор OSG65R099HSZAF TO247 для автомобильного инвертора
24 ₽
MOSFET-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650В, 38мОм
MOSFET-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650В, 38мОм
24 ₽
МОП-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
МОП-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
24 ₽
МОП-транзистор OSG65R099HSZAF TO247, 650V, 99мОм
МОП-транзистор OSG65R099HSZAF TO247, 650V, 99мОм
24 ₽
MOSFET-транзистор OSG65R099HSZAF TO247, 650В
MOSFET-транзистор OSG65R099HSZAF TO247, 650В
24 ₽
МОП-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
МОП-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
24 ₽
MOSFET OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
MOSFET OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
24 ₽
MOSFET OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
MOSFET OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
24 ₽
МОП-транзистор SFS04R013UGF PDFN5x6 40В, 1.1мОм
МОП-транзистор SFS04R013UGF PDFN5x6 40В, 1.1мОм
24 ₽
Мощный MOSFET-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650В
Мощный MOSFET-транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650В
24 ₽
MOSFET транзистор SFS04R013UGF PDFN5x6, 40V, 1.1мОм
MOSFET транзистор SFS04R013UGF PDFN5x6, 40V, 1.1мОм
24 ₽
MOSFET транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
MOSFET транзистор OSG65R038HZAF TO247, 650V, 38мОм
24 ₽
МОП-транзистор Sic Diodes Vds 700V RDS 340мОм
МОП-транзистор Sic Diodes Vds 700V RDS 340мОм
24 ₽
МОП-транзистор OSG80R650FF 800Вт 30В для зарядных станций
МОП-транзистор OSG80R650FF 800Вт 30В для зарядных станций
14 ₽
Third Generation Super Si Semiconductor 1/3 Cost of The Gallium Nitride (GaN) Device in High Frequency Operations Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Third Generation Super Si Semiconductor 1/3 Cost of The Gallium Nitride (GaN) Device in High Frequency Operations Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
24 ₽
Easy to Design in Perfect Replacement for The Gallium Nitride (GaN) Device in High Frequency Operations Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductor
Easy to Design in Perfect Replacement for The Gallium Nitride (GaN) Device in High Frequency Operations Super Si Oss65r340FF To220f Semiconductor
24 ₽
Third Generation Super Si Semiconducto in High Frequency Operations Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
Third Generation Super Si Semiconducto in High Frequency Operations Super Si Oss65r340jf Pdfn8 X 8 Mosfet
24 ₽